电解电容的参数要求及应用

就平板电视而言，为了承受大电流，有必要进一步降低ESR的电容。原因是在数字器件中，随着功能的增加，电路的电流有越来越大的趋势。对于在液...

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压敏电阻的特性及选用

选用压敏电阻器前，需要了解其相关的技术参数，在规定的直流电流及温度下其两端电压值即标称电压。在25度的条件下施加连续直流电压峰值时，...

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电解电容的结构和特性

电解电容器是开关电源一次回路和二次回路滤波电路中重要的器件之一。一般来说，电解电容器的等效电路可以看作是具有寄生电感和等效串联电阻...

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薄膜电容的特性和制造工艺

薄膜电容器因其具有许多优良特性，是一种性能优良的电容器，其主要特点如下:无极性，绝缘阻抗高，频率特性优异，介质损耗很小。基于上述优点...

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薄膜电容的材料与特性

PET泡沫芯材料，主要成分是聚对苯二甲酸乙二酯，俗称聚酯树脂。PET泡沫是一种封闭孔热塑性结构泡沫，具有一定的剪切和压缩强度，因此常用于...

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薄膜电容的应用与发展

薄膜电容器在通信电力、电气化铁路、电子、家用电器、混合电动汽车、风力发电、太阳能等行业应用较多，薄膜电容器具有很多优良的特性，因此...

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片式电感的类型与优势

片式电感的主要类型有4种，即绕线型、叠层型、编织型和薄膜片式电感。叠层型与绕线片式电感器相比有这诸多优点，其尺寸小有利于电路的小型化...

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薄膜电容的结构多样化

薄膜电容器是以金属箔为电极，与聚丙烯、聚乙烯酯、聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜重叠后，被缠绕成圆柱形结构。根据塑料薄膜的类型，又称聚...

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电解电容的参数指标

铝电解泄漏电流的测试方法和条件是指在25℃时，将电容器的一个1000欧姆的保护电阻接在额定电压上测量泄漏电流，施加电压5min后，泄漏电流不...

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电解电容的结构多样化

在结构上，铝电解电容器的结构已经多样化，除上述液态铝电解电容器外，还有固态铝电解电容器。铝电解电容器主要有两种结构形式，一种是铝箔...

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电解电容的极性与结构工艺

电解电容器的极性，注意电解电容的一侧是负极，"+"是正极，如果电解电容器没有标记正极，也可以用其引脚的长度来判断，长脚是正极，短脚是负...

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电解电容的电解质与金属箔

对于低压箔，不要求立方结构在结构中占很大 比例，但对于高压箔，要求这种结构占0.8至0.9以上。为了提高其比容，需要晶粒取向和杂质含量不规...

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电解电容的结构与应用

电解电容器通常以金属箔为正极，金属箔绝缘氧化层为介质。铝电解的负极由浸在电解液中的薄纸/薄膜或电解质聚合物组成。钽电解电容器的负极通...

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容量较大的电解电容

金属箔是正极（铝或钽），靠近正极的氧化膜是电介质。阴极由导电材料、电解液和其他材料组成。由于电解液是阴极的主要组成部分，电解电容器...

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摩尔定律与半导体器件的发展

摩尔定律的诞生是半导体技术史上的一个里程碑，它已成为信息技术发展的灯塔。计算机已成为大多数人不可缺少的工具。人们已经看到，技术和产...

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半导体激光器与半导体器件原理

在半导体激光器中，如果高 效率半导体发光管的发光区域位于光学谐振器中，则可以获得激光输出。这种装置称为半导体激光器或注入激光器。半导...

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半导体器件与集成电路的发展

许多先进工业国家都非常重视集成电路工业的发展，集成电路的集成度以每年翻倍的速度增长。每片芯片上集成的256千字节的MOS随机存取存储器已...

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半导体器件的标记后缀

除四个基本部分外，有时还增加后缀以区分特征或进一步分类。晶体二极管、晶体管和电阻电容都是在同一个硅芯片上制造的，称为集成电路。在一...

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半导体器件的标记与含义4

德国、法国、意大利、荷兰、比利时和其他欧洲国家，以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰和其他东欧国家，大多采用国际电子联合会半导体分...

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半导体器件的标记与含义3

在美国，晶体管或其他半导体器件的命名是混乱的。美国电子工业协会的半导体分立器件的命名方法如下： a，B，C，D，D-不同等级的同一类型的设...

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