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陶瓷介电电容器的材料

返回列表来源:新晨阳 发布日期: 2022.12.30 浏览:0

包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相,并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部,在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体,但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104~8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器。高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种:钛酸钡和钛酸锶。钛酸锶的居里温度为-250℃,室温下为立方钙钛矿结构。在高压下,钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大,TGδ和电容的变化率较小。

在晶粒发育良好的BaTiO3半导体陶瓷表面,在BaTiO3半导体陶瓷表面涂覆适当的金属氧化物(如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等),并在适当温度下在氧化条件下进行热处理。包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相,并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部,在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。薄的固溶体绝缘层的电阻率很高(高达1012-1013Ω·cm)。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体,但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104~8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器(BL电容器)。

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高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种:钛酸钡和钛酸锶。钛酸钡基陶瓷具有介电系数高、交流耐压性能好等优点,但也存在电容变化率随介质温度升高而增 大、绝缘电阻减小等缺点。钛酸锶的居里温度为-250℃,室温下为立方钙钛矿结构。它是顺电的,不存在自发极化现象。在高压下,钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大,TGδ和电容的变化率较小。


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