陶瓷电容器的主要加工环节：。

a）备料成型：将原料经煅烧、粉碎、混合后，达到一定的颗粒细度。原则上，颗粒越细越好。然后，根据电容器的结构形状形成陶瓷介质坯料。

b）烧成：对瓷坯进行高温处理，使之成为机械强度高、电性能优良的瓷体。烧成温度一般在1300℃以上。如果高温保温时间太短，固相反应不完全，影响整个机体结构，导致电性能恶化，即所谓的“生烧”。高温维持时间过长，坯体会起泡变形，晶粒变大，也会使电性能变差，造成“过烧”。

C）然后是电极制造、铅焊接、涂层和封装。

随着混合集成电路、计算机和便携式电子设备的进步，它们得到了迅速的发展，成为电子设备中不可缺少的元件。陶瓷介质电容器的总数现在约占电容器市场的一半。陶瓷介质电容器主要采用陶瓷作为绝缘材料，其基本结构是陶瓷与内电极重叠。陶瓷材料有几种类型。在电子产品无害化，特别是无铅化之后，高介电系数的PB（铅）退出了陶瓷电容器领域。目前主要使用的是TiO2（二氧化钛）、BaTiO3、CaZrO3（锆酸钙）等。

其它电容器相比，具有体积小、容量大、耐热性好、适合大批量生产，且价格低廉等优点。由于原料丰富，结构简单，价格低廉，电容范围宽（一般几个PF到几百μF），损耗小，电容温度系数可根据要求在较宽范围内调节。陶瓷电容器的品种很多，外形尺寸差异很大，从0402（约1×0.5mm）封装的片式电容器到大功率的陶瓷电容器。

据所用介质材料的特性，可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体陶瓷电容器。根据无功功率的大小，可分为小功率和大功率陶瓷电容器。按工作电压可分为低压和高压陶瓷电容器。按结构形状可分为圆盘形、筒形、鼓形、瓶形、圆筒形、板形、叠片式、单片式、块状、支柱式、穿芯式等。

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