晶体二极管是由P型和N型半导体形成的pn结组成的单向导电二端元器件。在其界面两侧形成空间电荷层，并产生一个自建电场，它所具有的电流方向性，就是一般被我们称为整流的性能。

当不存在外部施加的电压时，自建电场带来的漂移电流与在pn结两侧的载流子浓度之差引起的扩散电流相等，达到了电平衡状态。当外部施加直流偏压时，自建电场与外部电场的互相抑 制加大了载流子的扩散电流，产生正向电流。而当外部施加反向偏压时，自建电场与外部电场变得更强了，在一定电压范围内形成了和反向偏压值无相关的反向饱和电流。若此反向电压高到一定程度的话，pn结空间电荷层中的电场强度则会达到一个临界值，发生载流子倍增及大量电子-空穴对产生的现象，出现一个很大值的反向击穿电流，这就是常提到的二极管击穿现象。

依据这样的反向击穿原理可以分为雪崩击穿、齐纳击穿两种。当反向电压增加到一个较大的值时，所施加的电场增加了电子的漂移速度，使之发生与共价键中价电子的碰撞，价电子从共价键中脱离出来，产生的新电子-空穴对被电场加速，并和其他价电子碰撞，此时载流子雪崩增加，导致电流急剧增 大，这种击穿现象我们称之为雪崩击穿。而在高掺杂浓度条件下，由于反向电压较大而势垒区宽度较小，势垒区的共价键结构被破坏导致价电子的脱离，产生了电子-空穴对，导致电流急剧增 大，这样的击穿现象我们称之为齐纳击穿。如果掺杂浓度低，势垒区的宽度宽，并且不容易发生齐纳击穿。不管是哪种击穿，如果电流不受限 制，可能会发生PN结的永 久性损坏。

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