陶瓷电容器结构以陶瓷材料为介质，在陶瓷表面镀上金属（银）膜，经高温烧结之后制成电极。瓷电容器分为第1类介质、第2类介质和第3类介质。特点1类陶瓷电容器具有温度系数小、稳定性高、损耗低、耐压高等优点。三种陶瓷电容器具有介电系数高、容量大、体积小、损耗和绝缘性能好等特点。一般用在中高频电路之中。常用型号有CB 10、CB 11、CB 14～16（精密型）、CB 24、CB 25、CB 80（高压型）、CB40等系列。

陶瓷电容器结构以陶瓷材料为介质，在陶瓷表面镀上金属（银）膜，经高温烧结之后制成电极。陶瓷电容器分为第1类介质（NPO.CCG）、第2类介质（X7R.2X1）和第3类介质（Y5V.2F4）。

特点1类陶瓷电容器具有温度系数小、稳定性高、损耗低、耐压高等优点。最大容量不超过1000pf，常用系列为CC 1.CC2.CC18A.CC11.CCG。三种陶瓷电容器具有介电系数高、容量大（可达0.47μF）、体积小、损耗和绝缘性能差等特点。

1类电容器主要用于高频电路之中。2.3型广泛应用于中低频电路之中，并用于直流阻断、耦合、旁路、滤波等电容器。常用的有三个系列：CT 1.CT 2.CT 3。

结构聚酯电容器是以极性聚酯膜为介质，具有正温度系数（即电容量随温度升高而增大）的无极性电容器。优点是耐高温、耐高压、耐潮湿、价格低廉。一般用在低频电路之中。常见型号如CL 11.CL 21。

聚苯乙烯电容器（CB）有两种结构：箔和金属化。其优点是箔式绝缘电阻大，介质损耗小，容量稳定，精度高，但体积大，耐热性差。金属化比箔式具有更好的耐湿性和稳定性，绝缘电阻较低，高频特性较差。

一般用在中高频电路之中。常用型号有CB10、CB11（非密封箔）、CB14~16（精密型）、CB24、CB25（非密封金属化）、CB80（高压型）、CB40（密封金属化）等系列。

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