双极晶体管由两种PN结构组成，称为发射结，另称为集电极结。在两个结之间的一层薄薄的半导体材料被称为基极区。连接在发射极结一端和集电极结一端的两个电极分别称为发射极和集电极。在实际应用中，发射极结为正向偏置，集电极为反向偏置。这些少数载流子通过扩散迁移到集电极结形成集电极电流。集电极电流与基极电流之比称为共发射极电流放大系数。双极晶体管可分为NPN型和PNP型。

基于PN结的这些特性，在各个应用领域制造了二极管：整流二极管、探测器二极管、变频二极管、变容二极管、开关二极管、齐纳二极管、雪崩二极管（碰撞雪崩渡越二极管）和俘获二极管（俘获等离子体雪崩渡越时间二极管）等，有利用PN结特殊效应的隧 道二极管、肖特基二极管和无PN结的Gunn二极管。

双极晶体管由两种PN结构组成，称为发射结，另称为集电极结。在两个结之间的一层薄薄的半导体材料被称为基极区。连接在发射极结一端和集电极结一端的两个电极分别称为发射极和集电极。连接到底座上的电极称为底座。

在实际应用中，发射极结为正向偏置，集电极为反向偏置。发射极结的电流将大量的少数载流子注入基带，这些载流子通过扩散迁移到集电极结形成集电极电流，只有少量在基区复合形成基极电流。集电极电流与基极电流之比称为共发射极电流放大系数。在共发射极电路中，小的基极电流变化可以控制较大的集电极电流变化，这就是双极晶体管的电流放大效应。双极晶体管可分为NPN型和PNP型。

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