德国、法国、意大利、荷兰、比利时和其他欧洲国家，以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰和其他东欧国家，大多采用国际电子联合会半导体分立器件模型命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，每个部分的符号和含义如下：。三个数字--代表通用半导体器件的注册序列号，一个字母加两个数字--代表专用半导体设备的注册序列号。

德国、法国、意大利、荷兰、比利时和其他欧洲国家，以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰和其他东欧国家，大多采用国际电子联合会半导体分立器件模型命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，每个部分的符号和含义如下：

第 一部分：用字母表示器件中使用的材料。带隙Eg=0.6~1.0eV，用于锗等A-器件的材料，如硅等B-器件中所用材料的Eg=1.0~1.3eV，如砷化镓等C器件所用材料的大于1.3eV，如D-器件中所用材料如铟锑、复合材料和E-器件中光电池中所用材料的<0.6eV"。

第 二部分：装置的类型和主要特点用字母表示。A型开关混合二极管、B型变容二极管、C-低频低功率晶体管、D-低频大功率晶体管、E-隧 道二极管、F-高频低功率晶体管、G-复合器件、H-磁二极管、K型开路磁路霍尔元件、L-高频大功率晶体管、M-闭合磁路霍尔元件、P光度计、Q-发光器件、R-低功率晶闸管、S-低功率开关、T-大功率晶闸管、U-大功率开关、X倍增器二极管、Y-整流二极管、Z-电压稳定二极管。

第三部分：使用数字或字母加数字来表示注册号码。三个数字--代表通用半导体器件的注册序列号，一个字母加两个数字--代表专用半导体设备的注册序列号。

第四部分：用字母对同一类型的设备进行分类。a、B、C、D、E/E标志着同一类型的设备按某一参数分类。

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