半导体器件中有 效电极的数目用数字表示。用汉语拼音字母表来表示半导体器件的材料和极性，当二极管表示时，a-N锗材料，B-P锗材料，C-N型硅材料，D-P型硅材料，当晶体管表示时，A-PNP锗材料，B-NPN锗材料，C-PNP型硅材料和D-NPN型硅材料。用汉语拼音字母来表示半导体器件的类型。T-半导体晶闸管(≤gt3mhz)，Y体效应器件，B-雪崩管，J级恢复晶体管，CS场效应晶体管，BT半导体专用器件，FH复合管，PIN-PIN管，JG-激光器件.。

半导体器件的模型由五部分组成(场效应器件、半导体专用器件、复合管、PIN管、激光器件仅第三、四、五部分)，这五部分的含义如下：

第 一部分：半导体器件中有 效电极的数目用数字表示。2-二极管，3-晶体管

第 二部分：用汉语拼音字母表来表示半导体器件的材料和极性，当二极管表示时：a-N锗材料，B-P锗材料，C-N型硅材料，D-P型硅材料，当晶体管表示时，A-PNP锗材料，B-NPN锗材料，C-PNP型硅材料和D-NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母来表示半导体器件的类型。P-普通管，V-微波管，W-稳压管，C-参量管，Z-整流管，L-整流电抗器，S-隧 道管，N-阻尼管，U-光电子器件，K-开关管，X-低频低频低功率管(F≤Ltd.3 MHz，Pc3MHz)，D-低频高功率管(F1W)，A-高频高功率管(f≤gt 3 mhz)，A-高频高功率管(f≤gt 3mhz)1W，T-半导体晶闸管(≤gt3mhz)，Y体效应器件，B-雪崩管，J级恢复晶体管，CS场效应晶体管，BT半导体专用器件，FH复合管，PIN-PIN管，JG-激光器件.

第四部分：用数字表示序列号。

第五部分：用汉语拼音字母表示规格号，例如：3 dg 18表示npn型硅高频晶体管。

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