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电容/电感/电阻解决方案专业提供商
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03-19
2021
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电容耐压值是什么
电容器电极之间能承受的瞬时电压的大值。请注意，它是瞬时值。也就是说，在原来绝缘的电容器两极之间会产生各种电光火石。但出于安 全考虑，同时考虑到同一生产线上相同设计规格的电容器构成会发生波动的客观事实，耐压等安 全参数通常具有冗余率。如果超过但仍在击穿电压范围内，它们似乎可以大手抓，但如果它们击穿，后果可能非常严重。此外，合格的安 全电容器要求电容器故障后不应有触电和人身安 全隐患。
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03-18
2021
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NTC热敏电阻的选型
列出了NTC热敏电阻的许多参数，其中“25℃欧姆值”和“b值”是两个非常重要的参数。通电时，25℃的欧姆值决定了NTC热敏电阻的限流能力。根据b值，可以计算出NTC热敏电阻达到终温度时的电阻值。NTC热敏电阻的功率损耗不容忽视。当VAA逐渐达到自身电压时，齐纳二极管D1导通，三极管Q1断开，继电器RY1闭合，相当于短路限流NTC热敏电阻Z1。利用继电器等外 围电路进一步降低NTC热敏电阻作为限流电阻的功耗。
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03-18
2021
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使用NTC来限制浪涌电流
当电源电路通电时，外部电源的能 量首先传输到输入滤波电容器。如果不加以限 制，很容易损坏保险丝和随后的整流二极管等外 围电子元件。本文首先介绍了如何利用NTC热敏电阻来限 制涌流，然后介绍了如何选择NTC热敏电阻，介绍了如何利用继电器来进一步降低NTC热敏电阻的功耗。NTC热敏电阻在通电时能起到瞬时限流保护的作用。负温度系数NTC热敏电阻在限 制浪涌电流和功耗之间有很好的平衡。
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03-18
2021
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钽电容设计尺寸减小的因素
高 效封装技术的发展是降低钽电容器设计尺寸的重要因素。在工业中常用的包装技术是引线框架设计。这种结构具有很高的制造效率，可以降低成本，提高生产能力。对于与空间无关的应用，这些设备仍然是可行的解决方案。map结构消 除了现有电流环的机械引线框架，大大减小了电流环的尺寸。通过小化电流回路，可以显著降低ESL。ESL的减小对应于自谐振频率的增加，从而扩大了电容器的工作频率范围。
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03-18
2021
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钽电容器的改进
传统钽电容器的ESR主要来源于正极材料MnO 2。相反，聚等导电聚合物的电导率在100 S/cm范围内，电导率的增加直接转化为ESR的显著下降。不同额定值下的ESR-频率曲线显示了钽电容器用聚合物阴极系统的优点，通过直接比较MnO 2的ESR-频率曲线和A壳6.3V/47μF额定值条件下的聚合物设计，可以看出，在100 kHz频率下，聚合物设计可使ESR降低一个数量级。引线框架材料是另一个可以通过切换到更高电导率的材料来改 善ESR的领域。
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03-18
2021
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低ESR钽电容
与陶瓷电容器相比，片上钽电容器表面有电容容量和耐压痕迹。垂直电容器和片式电容器的区别在于，无论是在插件安装还是片式安装过程中，电容器本身都是垂直于PCB的。制造商提供各种各样的钽电容器产品，这些产品针对各种特定功能进行了优化，并针对不同的应用和市场细分。降低ESR是钽电容器设计的重要研究领域之一。
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03-17
2021
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钽电容的作用是什么
钽电容器是由稀有金属钽制成的。由于钽的固有特性，钽电容器具有良好的稳定性，不随环境的变化而变化，能获得较大的容值。因此，钽电容器被广泛应用于许多不能使用陶瓷电容器的电路中。当然，钽电容器也有其自身的缺 陷，如电压不够高，这大大限 制了钽电容器的应用范围。片式钽电容器主要用于消 除芯片本身产生的各种高频信号对其他芯片的串扰，使每个芯片模块都能正常工作而不受干扰。
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03-17
2021
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钽电容的应用及原理
钽电容器是体积小、容量大的电容器。钽电容器有各种形状，并制成适合表面安装的小型和片式元件。钽电容器不仅应用于军事通信、航 空航 天等领域，还广泛应用于工业控制、视 频设备、通信仪表等产品中。因为氧化膜很薄，所以钽电容器两极板之间的距离很近，几乎没有感应电抗，非常灵敏，所以充放电速度很快。另外，由于钽电容器内部没有电解液，非常适合在高温下工作。
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03-17
2021
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抗硫化性的设计思路
抗硫化性的设计有两种思路，是从封装的角度出发，另是从材料的角度出发。相对而言，从材料的角度来说，它可以更好地保证电阻不硫化。PCB单板组件涂三防漆，加保护膜隔离空气，防止电阻硫化。与普通产品相比，在耐硫化性上印制一层高导热聚氨酯灌封料，具有保护作用。但陶瓷基板必 须涂上三防漆，防止银在高温、高湿和电场力的作用下迁移，以免线路间短路。抗硫化产品适用于环境恶劣或长期稳定的场合。
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03-17
2021
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电阻硫化防护的方法
片状电阻具有三层电极结构，表面电极为银电极，中间电极为镀镍层，外电极为锡涂层，表面电极材料为金属导电，二次保护涂层为非金属无导电性，边界区域的电涂层非常薄或不形成导电层，造成间隙或间隙，特别是当二次保护层的边界不规则时。基体二次保护与电极涂层之间的界面最弱，侵入过程如图1所示。外部硫腐蚀气体通过二次保护层与电极的交界处渗 透到表面电极，使表面电极的银产生硫化化合物Ag2S、FlqT-Ag2S(高电阻)，使电阻失去导电性。
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